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FDN359AN

FDN359AN ONSEMI

FDN359AN.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Technische Details FDN359AN ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V.

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FDN359AN FDN359AN Hersteller : ONSEMI FDN359AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
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FDN359AN FDN359AN Hersteller : onsemi fdn359an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
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6000+ 0.36 EUR
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FDN359AN FDN359AN Hersteller : onsemi / Fairchild FDN359AN_D-2312894.pdf MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
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FDN359AN FDN359AN Hersteller : onsemi fdn359an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
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FDN359AN FDN359AN Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013339569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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FDN359AN FDN359AN Hersteller : ON Semiconductor fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN359AN Hersteller : Fairchild fdn359an-d.pdf N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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