FDN86265P onsemi / Fairchild
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
21+ | 2.51 EUR |
26+ | 2.01 EUR |
100+ | 1.58 EUR |
500+ | 1.36 EUR |
1000+ | 1.11 EUR |
3000+ | 1.03 EUR |
6000+ | 0.98 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDN86265P onsemi / Fairchild
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Drain current: -0.8A, On-state resistance: 2.2Ω, Case: SuperSOT-3, Kind of channel: enhanced, Power dissipation: 1.5W, Gate-source voltage: ±25V, Type of transistor: P-MOSFET, Drain-source voltage: -150V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDN86265P
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
FDN86265P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
FDN86265P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: -0.8A On-state resistance: 2.2Ω Case: SuperSOT-3 Kind of channel: enhanced Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -150V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
FDN86265P | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
FDN86265P | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
FDN86265P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: -0.8A On-state resistance: 2.2Ω Case: SuperSOT-3 Kind of channel: enhanced Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -150V |
Produkt ist nicht verfügbar |