FDP083N15A-F102 ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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Technische Details FDP083N15A-F102 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 117A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDP083N15A-F102 nach Preis ab 4.09 EUR bis 11.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FDP083N15A-F102 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 294W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A On-state resistance: 8.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP083N15A-F102 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET |
auf Bestellung 9391 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDP083N15A-F102 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4627 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDP083N15A-F102 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 117A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP083N15A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |