auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 4.06 EUR |
15+ | 3.67 EUR |
100+ | 2.83 EUR |
500+ | 2.35 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDP18N20F onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDP18N20F
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
FDP18N20F | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
FDP18N20F | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 100 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
FDP18N20F | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |