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FDP20N50

FDP20N50 ONSEMI

FDP20N50F.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details FDP20N50 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

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FDP20N50 FDP20N50 Hersteller : ONSEMI FDP20N50F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FDP20N50 FDP20N50 Hersteller : ON Semiconductor fdpf20n50-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
28+5.73 EUR
30+ 5.1 EUR
33+ 4.53 EUR
50+ 4.12 EUR
100+ 3.76 EUR
500+ 3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 28
FDP20N50 FDP20N50 Hersteller : ON Semiconductor fdpf20n50-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP20N50 FDP20N50 Hersteller : ONSEMI 2304071.pdf Description: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDP20N50 Hersteller : ON-Semicoductor fdpf20n50-d.pdf N-MOSFET 500V 20A 230mΩ 250W FDP20N50F FDP20N50 CSD18532KCS FDP20N50 Fairchild TFDP20n50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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Mindestbestellmenge: 10
FDP20N50 FDP20N50 Hersteller : ON Semiconductor fdpf20n50-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP20N50 FDP20N50 Hersteller : onsemi fdpf20n50-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
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FDP20N50 FDP20N50 Hersteller : onsemi / Fairchild FDPF20N50_D-2312928.pdf MOSFET 500V NCH UNIFET MOSFET
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