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Technische Details FDP2532 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Weitere Produktangebote FDP2532 nach Preis ab 9.05 EUR bis 9.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDP2532 | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
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| FDP2532 | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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FDP2532 Produktcode: 44129 |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-263AB Uds,V: 150 Idd,A: 79 Rds(on), Ohm: 0.016 JHGF: SMD ZCODE: 8541210090 |
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FDP2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP2532 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 107nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDP2532 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
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FDP2532 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 107nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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