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FDP4D5N10C

FDP4D5N10C ON Semiconductor

fdp4d5n10c-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FDP4D5N10C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V.

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FDP4D5N10C FDP4D5N10C Hersteller : ON Semiconductor fdp4d5n10c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP4D5N10C FDP4D5N10C Hersteller : onsemi FDP4D5N10C_D-2312596.pdf MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V
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FDP4D5N10C Hersteller : ONSEMI FDP4D5N10C-D.PDF Description: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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