FDP61N20 ON Semiconductor
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Technische Details FDP61N20 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDP61N20 nach Preis ab 1.79 EUR bis 6.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDP61N20 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP61N20 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V N-Channel MOSFET |
auf Bestellung 6078 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDP61N20 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDP61N20 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP61N20 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDP61N20 | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP61N20 Produktcode: 150150 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FDP61N20 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP61N20 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |