Technische Details FDP8880 ON Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB, Mounting: THT, Power dissipation: 55W, Polarisation: unipolar, Drain current: 48A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Case: TO220AB, On-state resistance: 19mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDP8880
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FDP8880 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDP8880 Produktcode: 113618 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FDP8880 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 19mΩ Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP8880 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 19mΩ Gate-source voltage: ±20V |
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