Produkte > ONSEMI > FDP8D5N10C
FDP8D5N10C

FDP8D5N10C onsemi


fdp8d5n10c-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V
auf Bestellung 2385 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+6.55 EUR
10+ 5.49 EUR
100+ 4.44 EUR
500+ 3.95 EUR
1000+ 3.38 EUR
2000+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDP8D5N10C onsemi

Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote FDP8D5N10C nach Preis ab 3.43 EUR bis 6.66 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDP8D5N10C FDP8D5N10C Hersteller : onsemi FDP8D5N10C_D-2312598.pdf MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+6.66 EUR
10+ 5.59 EUR
50+ 5.28 EUR
100+ 4.52 EUR
250+ 4.26 EUR
500+ 4 EUR
1000+ 3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDP8D5N10C FDP8D5N10C Hersteller : ONSEMI FDP8D5N10C-D.PDF Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP8D5N10C Hersteller : ON Semiconductor fdp8d5n10c-d.pdf
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDP8D5N10C FDP8D5N10C Hersteller : ON Semiconductor fdp8d5n10c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar