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Technische Details FDPF190N15A onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDPF190N15A nach Preis ab 4.58 EUR bis 4.58 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDPF190N15A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 27.4A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 27.4A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2685 pF @ 25 V |
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FDPF190N15A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDPF190N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDPF190N15A | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FDPF190N15A | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FDPF190N15A | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17.4A; Idm: 110A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17.4A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDPF190N15A | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17.4A; Idm: 110A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17.4A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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