FDPF2D3N10C onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 15.86 EUR |
| 10+ | 13.33 EUR |
| 100+ | 10.78 EUR |
| 500+ | 9.59 EUR |
| 1000+ | 8.21 EUR |
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Technische Details FDPF2D3N10C onsemi
Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 222A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm.
Weitere Produktangebote FDPF2D3N10C nach Preis ab 8.24 EUR bis 15.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDPF2D3N10C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET PTNG N-CH 100V/120V |
auf Bestellung 2061 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDPF2D3N10C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 222A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm |
auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPF2D3N10C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDPF2D3N10C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDPF2D3N10C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 157A Pulsed drain current: 888A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDPF2D3N10C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 157A Pulsed drain current: 888A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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