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Technische Details FDS2572 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDS2572 nach Preis ab 0.88 EUR bis 3.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS2572 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS2572 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS2572 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS2572 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS2572 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS2572 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS2572 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS2572 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V |
auf Bestellung 17196 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS2572 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench |
auf Bestellung 11596 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS2572 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS2572 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS2572 | Hersteller : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS2572 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
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