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Technische Details FDS2670 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDS2670 nach Preis ab 2.01 EUR bis 4.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FDS2670 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V |
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FDS2670 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS2670 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS2670 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS2670 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS2670 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2359 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS2670 | Hersteller : FSC |
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auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS2670 | Hersteller : FSC |
09+ SO-8 |
auf Bestellung 1087 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS2670 | Hersteller : FAIRCHILD |
SO-8 |
auf Bestellung 41000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS2670 | Hersteller : FDS |
SOP-8 |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS2670 | Hersteller : FAIRCHILD |
09+ |
auf Bestellung 1618 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS2670 | Hersteller : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS2670 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 275mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS2670 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS2670 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS2670 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 275mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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