FDS3890 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 1.91 EUR |
| 5000+ | 1.84 EUR |
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Technische Details FDS3890 onsemi
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDS3890 nach Preis ab 2.01 EUR bis 4.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS3890 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 9717 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS3890 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 |
auf Bestellung 22836 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS3890 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS3890 | Hersteller : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS3890 | Hersteller : FAIRCHILD |
09+ |
auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS3890 | Hersteller : FAIRCHILD |
SO-8 |
auf Bestellung 41000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS3890 Produktcode: 49621 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS3890 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS3890 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS3890 | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 82mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS3890 | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 82mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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