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FDS4675

FDS4675 ONSEMI

FDS4675.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.44 EUR
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Technische Details FDS4675 ONSEMI

Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V.

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FDS4675 FDS4675 Hersteller : ONSEMI FDS4675.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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FDS4675 FDS4675 Hersteller : ON Semiconductor fds4675jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FDS4675 FDS4675 Hersteller : onsemi / Fairchild FDS4675_D-2312996.pdf MOSFET SO-8
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2500+ 1.49 EUR
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FDS4675 FDS4675 Hersteller : ON Semiconductor fds4675jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4675 Hersteller : ON-Semicoductor fds4675-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS4675 FDS4675 Hersteller : ON Semiconductor fds4675jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4675 FDS4675 Hersteller : ON Semiconductor fds4675jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4675 FDS4675 Hersteller : onsemi fds4675-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
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FDS4675 FDS4675 Hersteller : onsemi fds4675-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
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