Technische Details FDS5680 ON Semiconductor / Fairchild
Description: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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FDS5680 | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 9995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS5680 | Hersteller : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 32mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5680 TFDS5680 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS5680 Produktcode: 131521 |
IC > IC andere |
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FDS5680 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS5680 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS5680 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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| FDS5680 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS5680 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V |
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FDS5680 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V |
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FDS5680 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V |
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