Produkte > ONSEMI > FDS6576
FDS6576

FDS6576 onsemi

fds6576-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+1.13 EUR
5000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDS6576 onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote FDS6576 nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDS6576 FDS6576 Hersteller : ON Semiconductor fds6576jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
134+1.18 EUR
136+ 1.13 EUR
160+ 0.92 EUR
250+ 0.86 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 134
FDS6576 FDS6576 Hersteller : ON Semiconductor fds6576jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
119+1.33 EUR
134+ 1.14 EUR
136+ 1.08 EUR
160+ 0.89 EUR
250+ 0.82 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 119
FDS6576 FDS6576 Hersteller : onsemi / Fairchild FDS6576_D-2313224.pdf MOSFET SO-8 P-CH -20V
auf Bestellung 24702 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+2.37 EUR
26+ 2.04 EUR
100+ 1.64 EUR
500+ 1.41 EUR
1000+ 1.15 EUR
2500+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDS6576 FDS6576 Hersteller : onsemi fds6576-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
auf Bestellung 7177 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.73 EUR
12+ 2.24 EUR
100+ 1.74 EUR
500+ 1.48 EUR
1000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDS6576 FDS6576 Hersteller : ON Semiconductor fds6576jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6576 FDS6576 Hersteller : ON Semiconductor fds6576jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6576 FDS6576 Hersteller : ONSEMI fds6576-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6576 FDS6576 Hersteller : ONSEMI fds6576-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar