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Technische Details FDS6675BZ ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote FDS6675BZ nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 5009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 21.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS6675BZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 21.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET -30V P-Channel PwrTrch MOSFET |
auf Bestellung 39027 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2116 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm |
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FDS6675BZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm |
auf Bestellung 28745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS6675BZ | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6675BZ Produktcode: 57036 |
Hersteller : ON |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 V Id,A: 11 А Rds(on),Om: 0,015 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44 |
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6675BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |