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Technische Details FDS6875 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDS6875 nach Preis ab 0.68 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS6875 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6875 | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -6A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1781 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6875 | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -6A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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FDS6875 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6875 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6875 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V |
auf Bestellung 1494 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS6875 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
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FDS6875 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDS6875 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDS6875 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6875 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6875 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
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