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Technische Details FDS6898AZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FDS6898AZ nach Preis ab 0.62 EUR bis 2.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS6898AZ | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6898AZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS6898AZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6898AZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 11881 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS6898AZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 |
auf Bestellung 5226 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS6898AZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6898AZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS6898AZ | Hersteller : Fairchild |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6898AZ | Hersteller : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6898AZ | Hersteller : FAIRCHILD |
09+ |
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| FDS6898AZ | Hersteller : FAIRCHILD |
SO-8 |
auf Bestellung 41000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS6898AZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6898AZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |