FDS86267P

FDS86267P ON Semiconductor


fds86267pcn-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS86267P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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FDS86267P FDS86267P Hersteller : ON Semiconductor fds86267pcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
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FDS86267P FDS86267P Hersteller : onsemi fds86267p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
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FDS86267P FDS86267P Hersteller : onsemi fds86267p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
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FDS86267P FDS86267P Hersteller : onsemi / Fairchild FDS86267P_D-1808891.pdf MOSFET PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet
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1000+ 1.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 13
FDS86267P FDS86267P Hersteller : ONSEMI fds86267p-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FDS86267P FDS86267P Hersteller : ONSEMI 2572542.pdf Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FDS86267P FDS86267P Hersteller : ON Semiconductor fds86267pcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
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