FDS8858CZ onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 50000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 0.92 EUR |
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| 25000+ | 0.83 EUR |
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Technische Details FDS8858CZ onsemi
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDS8858CZ nach Preis ab 0.88 EUR bis 2.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS8858CZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 50495 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 32875 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 14295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8858CZ | Hersteller : Fairchild |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDS8858CZ | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 7,3 А; Qg, нКл = 24; Rds = 17 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 0,9 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; ton = 20 нс; toff = 20 нс; SOICN-8 |
auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 8.6/-7.3A; 2W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 8.6/-7.3A On-state resistance: 28.8/24.3mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 46/24nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25/±20V Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS8858CZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 8.6/-7.3A; 2W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 8.6/-7.3A On-state resistance: 28.8/24.3mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 46/24nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25/±20V Mounting: SMD Case: SO8 |
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