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Technische Details FDS8880 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.0079 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDS8880 nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS8880 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8880 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8880 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS8880 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 581 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8880 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8880 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 45332 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS8880 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V |
auf Bestellung 20290 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS8880 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.0079 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8880 | Hersteller : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8880 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8880 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |