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Technische Details FDS8949 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, Dauer-Drainstrom Id: 6A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2W, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDS8949 nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS8949 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8949 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8949 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8949 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8949 | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8949 | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8949 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 1976 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS8949 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC |
auf Bestellung 97802 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS8949 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds: 40V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm Dauer-Drainstrom Id: 6A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 2W SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 15630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8949 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8949 | Hersteller : Fairchild |
2N-MOSFET 40V 6A 29mΩ 2W FDS8949 Fairchild TFDS8949 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8949 Produktcode: 162449 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS8949 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8949 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8949 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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