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FDS8958A

FDS8958A Fairchild

fds8958a-d.pdf
Produktcode: 34126
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 7
Rds(on), Ohm: 0.028
Ciss, pF/Qg, nC: 07.10.575
Bem.: N+P (5.0A)
JHGF: SMD
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FDS8958A FDS8958A Hersteller : onsemi fds8958a-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2500
FDS8958A FDS8958A Hersteller : ONSEMI FDS8958A_F085.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
On-state resistance: 40/80mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1515 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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110+ 0.65 EUR
126+ 0.57 EUR
146+ 0.49 EUR
154+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 76
FDS8958A FDS8958A Hersteller : ONSEMI FDS8958A_F085.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
On-state resistance: 40/80mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
auf Bestellung 1515 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 76
FDS8958A FDS8958A Hersteller : onsemi / Fairchild FDS8958A_D-2313006.pdf MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
auf Bestellung 18997 Stücke:
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26+2.01 EUR
29+ 1.8 EUR
100+ 1.22 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.87 EUR
2500+ 0.79 EUR
5000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FDS8958A FDS8958A Hersteller : onsemi fds8958a-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS8958A FDS8958A Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003496026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8958A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS8958A FDS8958A Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003496026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8958A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3068 Stücke:
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FDS8958A Hersteller : Fairchild fds8958a-d.pdf DUAN N&P -CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 70A/30V, -5A30V FDS8958A SOP08 TFDS8958a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDS8958A FDS8958A Hersteller : ON Semiconductor fds8958a-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8958A FDS8958A Hersteller : ON Semiconductor fds8958a-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC T/R
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SP8M3FU6TB
Produktcode: 26073		 description SP8M3.pdf
SP8M3FU6TB
Hersteller: Rohm
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 09.03.230
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar: 23 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.04 EUR
10+ 0.98 EUR
BZX55-C12
Produktcode: 26387		 BZX55.pdf
BZX55-C12
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 0,033
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
verfügbar: 4637 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.027 EUR
1000+ 0.017 EUR
BSS138LT1G
Produktcode: 28421		 bss138lt1-d-datasheet.pdf
BSS138LT1G
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Idd,A: 0.200
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40/
JHGF: SMD
verfügbar: 195 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.06 EUR
10+ 0.052 EUR
100+ 0.039 EUR
SCB0704-102М (1000uH, ±20%, 0.18A, 6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm; im gepanzerten Kern) Anla Tech
Produktcode: 39169		 SCB-1.pdf
SCB0704-102М (1000uH, ±20%, 0.18A, 6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm; im gepanzerten Kern) Anla Tech
Hersteller: AnlaTech/IH
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 1000 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 1000uH, ±20%, Idc=0.18А, Rdc=6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 7,3x7,3mm, h=4,6mm
Робочий струм, А: 0.18A
№ 7: 8504 50 20 90
auf Bestellung 809 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.42 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.3 EUR
IGW60T120
Produktcode: 114731		 igw60t120.pdf
IGW60T120
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200
Vce: 1,7 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 375 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/9,4
auf Bestellung 48 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück: