FDT86256

FDT86256 onsemi / Fairchild


FDT86256_D-2313071.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench
auf Bestellung 7789 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+2.76 EUR
22+ 2.44 EUR
100+ 1.98 EUR
500+ 1.72 EUR
1000+ 1.43 EUR
2000+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDT86256 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V.

Weitere Produktangebote FDT86256 nach Preis ab 1.42 EUR bis 3.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDT86256 FDT86256 Hersteller : onsemi fdt86256-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+3.25 EUR
10+ 2.65 EUR
100+ 2.06 EUR
500+ 1.75 EUR
1000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDT86256 FDT86256 Hersteller : ONSEMI 2729247.pdf Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86256 FDT86256 Hersteller : ONSEMI 2729247.pdf Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86256
Produktcode: 188041
fdt86256-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86256 FDT86256 Hersteller : ON Semiconductor 3663737319408651fdt86256.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86256 FDT86256 Hersteller : ON Semiconductor 3663737319408651fdt86256.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86256 FDT86256 Hersteller : onsemi fdt86256-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar