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Technische Details FDT86256 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V.
Weitere Produktangebote FDT86256 nach Preis ab 1.42 EUR bis 3.25 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDT86256 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V |
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FDT86256 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm |
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FDT86256 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm |
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FDT86256 Produktcode: 188041 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDT86256 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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FDT86256 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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FDT86256 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V |
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