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FDU7N60NZTU Fairchild

fdu7n60nztu-d.pdf Hersteller: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
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Technische Details FDU7N60NZTU Fairchild

Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: I-PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V.

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FDU7N60NZTU Hersteller : Fairchild fdu7n60nztu-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
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FDU7N60NZTU FDU7N60NZTU Hersteller : ON Semiconductor fdu7n60nztu.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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FDU7N60NZTU FDU7N60NZTU Hersteller : onsemi fdu7n60nztu-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
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FDU7N60NZTU FDU7N60NZTU Hersteller : onsemi / Fairchild FDU7N60NZTU_D-2313041.pdf MOSFET N-Channel MOSFET 600V 5.5A 1.25Ohm
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