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FDV301N

FDV301N ON Semiconductor

fdv301n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details FDV301N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV301N FDV301N Hersteller : ONSEMI FDV301N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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881+0.081 EUR
1044+ 0.068 EUR
1139+ 0.063 EUR
1163+ 0.061 EUR
1205+ 0.059 EUR
3000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 881
FDV301N FDV301N Hersteller : ONSEMI FDV301N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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FDV301N FDV301N Hersteller : onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 547400 Stücke:
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3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
75000+ 0.089 EUR
150000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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1090+0.14 EUR
1590+ 0.096 EUR
3000+ 0.073 EUR
9000+ 0.059 EUR
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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323+0.49 EUR
449+ 0.34 EUR
641+ 0.23 EUR
1087+ 0.13 EUR
1194+ 0.11 EUR
1249+ 0.1 EUR
1707+ 0.073 EUR
3000+ 0.068 EUR
6000+ 0.064 EUR
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FDV301N FDV301N Hersteller : EVVO FDV301N-5272.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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36+0.73 EUR
53+ 0.49 EUR
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500+ 0.2 EUR
1000+ 0.14 EUR
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FDV301N FDV301N Hersteller : onsemi / Fairchild FDV301N_D-2313106.pdf MOSFET N-Ch Digital
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97+ 0.54 EUR
153+ 0.34 EUR
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2500+ 0.13 EUR
10000+ 0.1 EUR
15000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 68
FDV301N FDV301N Hersteller : onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
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34+0.78 EUR
49+ 0.54 EUR
100+ 0.26 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
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FDV301N FDV301N Hersteller : ONSEMI 2304439.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
auf Bestellung 111433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDV301N FDV301N Hersteller : ONSEMI 2304439.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
auf Bestellung 111433 Stücke:
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FDV301N FDV301N Hersteller : ONSEMI 2304439.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 638625 Stücke:
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor 1836027593928217fdv301n.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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FDV301N Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor fdv301n-d.pdf FDV301N-5272.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 220 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В; Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
105+0.065 EUR
112+ 0.056 EUR
121+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 105
FDV301N Hersteller : UMW fdv301n-d.pdf FDV301N-5272.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500
FDV301N Hersteller : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N-5272.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FDV301N Hersteller : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N-5272.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FDV301N Hersteller : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N-5272.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 19140 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FDV301N Hersteller : ON-Semicoductor fdv301n-d.pdf FDV301N-5272.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDV301N fdv301n-d.pdf FDV301N-5272.pdf
auf Bestellung 55000 Stücke:
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FDV301N FDV301N Hersteller : EVVO FDV301N-5272.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor 1836027593928217fdv301n.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV301N FDV301N
Produktcode: 115435 		fdv301n-d.pdf FDV301N-5272.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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