FDW262P Fairchild Semiconductor
Hersteller: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 523+ | 1.41 EUR |
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Technische Details FDW262P Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 10 V.
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