FDY101PZ ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.15A; 0.625W; SOT523
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.625W
Gate charge: 1.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -0.15A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT523
On-state resistance: 20Ω
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.15A; 0.625W; SOT523
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.625W
Gate charge: 1.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -0.15A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT523
On-state resistance: 20Ω
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Technische Details FDY101PZ ONSEMI
Description: ONSEMI - FDY101PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 8, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FDY101PZ nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.83 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FDY101PZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.15A; 0.625W; SOT523 Mounting: SMD Power dissipation: 0.625W Gate charge: 1.4nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -0.15A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: SOT523 On-state resistance: 20Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2793 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDY101PZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V |
auf Bestellung 877 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDY101PZ | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET |
auf Bestellung 16267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDY101PZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY101PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 8 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDY101PZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SOT-523FL T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDY101PZ | Hersteller : Fairchild |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SOT-523F T/R FDY101PZ TFDY101pz Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDY101PZ | Hersteller : Fairchild |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SOT-523F T/R FDY100PZ TFDY100pz Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDY101PZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V |
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