FEPB16DT-E3/45

FEPB16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor


fep16jt.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 200 Volt 16A 35ns Dual Common Cathode
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Technische Details FEPB16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor

Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 0.95V; tube, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 200V, Load current: 8A x2, Reverse recovery time: 35ns, Semiconductor structure: common cathode; double, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Capacitance: 85pF, Case: D2PAK, Max. forward voltage: 0.95V, Max. forward impulse current: 200A, Leakage current: 500µA, Kind of package: tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FEPB16DT-E3/45 FEPB16DT-E3/45 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division fep16jt.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO263AB
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FEPB16DT-E3/45 FEPB16DT-E3/45 Hersteller : Vishay fep16jt.pdf Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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FEPB16DT-E3/45 Hersteller : VISHAY fep16jt.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 0.95V; tube
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Capacitance: 85pF
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 200A
Leakage current: 500µA
Kind of package: tube
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