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FES6G

FES6G onsemi / Fairchild

FES6D_D-2312882.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
Rectifiers 6A 400V ULTRA FAST
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Technische Details FES6G onsemi / Fairchild

Description: DIODE GEN PURP 400V 6A TO277-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-277-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FES6G FES6G Hersteller : onsemi fes6d-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 6A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V
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FES6G FES6G Hersteller : ON Semiconductor fes6d-d.pdf Rectifier Diode Switching 400V 6A 45ns 3-Pin(2+Tab) TO-277 T/R
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FES6G FES6G Hersteller : onsemi fes6d-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 6A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V
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