FES8HT-E3/45 Vishay General Semiconductor
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Technische Details FES8HT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V.
Weitere Produktangebote FES8HT-E3/45
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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FES8HT-E3/45 | Hersteller : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 500V 8A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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FES8HT-E3/45 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 500V 8A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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FES8HT-E3/45 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 500V 8A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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FES8HT-E3/45 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 500 V |
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