FF100R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: AG-34MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 555W
Mechanical mounting: screw
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Technische Details FF100R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 555W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 555W, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FF100R12RT4HOSA1 nach Preis ab 90.23 EUR bis 122.02 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: AG-34MM Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Power dissipation: 555W Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555W 7-Pin 34MM-1 Tray |
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FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555W 7-Pin 34MM-1 Tray |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555W 7-Pin 34MM-1 Tray |
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FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 555W euEccn: NLR Verlustleistung: 555W Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555W 7-Pin 34MM-1 Tray |
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FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555W 7-Pin 34MM-1 Tray |
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FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 555W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 555 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 630 nF @ 25 V |
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| FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM |
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