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FF11MR12W1M1B11BOMA1

FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies


infineon-ff11mr12w1m1_b11-ds-v02_02-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray
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Technische Details FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: CoolSic, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w1m1_b11-ds-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003257861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSic
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
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