FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 5000W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 5000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FF1200R12KE3NOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 5000W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V |
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FF1200R12KE3NOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV |
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