Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > FF1200R12KE3NOSA1
FF1200R12KE3NOSA1

FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies


417db_ff1200r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileid.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 5000000mW 10-Pin IHM130-2 Tray
Produkt ist nicht verfügbar

Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 5000W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 5000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FF1200R12KE3NOSA1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FF1200R12KE3NOSA1 FF1200R12KE3NOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FF1200R12KE3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43415c65f7e Description: IGBT MODULE 1200V 5000W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FF1200R12KE3NOSA1 FF1200R12KE3NOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_FF1200R12KE3_DS_v02_01_en_de-2320443.pdf IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV
Produkt ist nicht verfügbar