FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
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Technische Details FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 295A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 1.05kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.05kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 295A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote FF200R12KE3HOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 295A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 1.05kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 295A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Case: AG-62MM-1 Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.05kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF200R12KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Case: AG-62MM-1 Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.05kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV |
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