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FF300R12KT4HOSA1

FF300R12KT4HOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF300R12KT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a491e4c1e08 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 450A 1600W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
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Technische Details FF300R12KT4HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF300R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 450A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 1.6kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 450A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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FF300R12KT4HOSA1 FF300R12KT4HOSA1 Hersteller : INFINEON INFNS28379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF300R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.6kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8 Stücke:
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FF300R12KT4HOSA1 FF300R12KT4HOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES FF300R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: AG-62MM-1
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 1.6kW
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF300R12KT4HOSA1 FF300R12KT4HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 8432ds_ff300r12kt4_2_1.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 450A 1600000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
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FF300R12KT4HOSA1 FF300R12KT4HOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES FF300R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: AG-62MM-1
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 1.6kW
Mechanical mounting: screw
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