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FF500R17KE4BOSA1

FF500R17KE4BOSA1 INFINEON


Infineon-FF500R17KE4-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462566bd0c7015678cc33d12de8 Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF500R17KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 500A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 500A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Technische Details FF500R17KE4BOSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FF500R17KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 500A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 500A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FF500R17KE4BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FF500R17KE4-DS-v02_00-EN-1509425.pdf IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
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FF500R17KE4BOSA1 FF500R17KE4BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1587infineon-ff500r17ke4-ds-v02_00-cn.pdffileid5546d462566bd0c7015678.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 500A 7-Pin AG-62MM Tray
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FF500R17KE4BOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES FF500R17KE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of module: IGBT
Case: AG-62MM-1
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 500A
Pulsed collector current: 1kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF500R17KE4BOSA1 FF500R17KE4BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FF500R17KE4-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462566bd0c7015678cc33d12de8 Description: IGBT MODULE 1700V 500A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 500A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 45 nF @ 25 V
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FF500R17KE4BOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES FF500R17KE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of module: IGBT
Case: AG-62MM-1
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 500A
Pulsed collector current: 1kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
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