FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 475.18 EUR |
| 5+ | 425.2 EUR |
| 10+ | 392.63 EUR |
| 30+ | 370.34 EUR |
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Technische Details FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA, Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote FF6MR12W2M1B11BOMA1 nach Preis ab 517.54 EUR bis 558.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray |
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray |
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray |
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A Tray |
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
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