FF75R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 94.95 EUR |
| 5+ | 84.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF75R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 395W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FF75R12RT4HOSA1 nach Preis ab 111.89 EUR bis 159.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF75R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
|
FF75R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
 |
FF75R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 75A 395W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 395 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||
 |
FF75R12RT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 395W euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
 |
FF75R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |