FFSD08120A onsemi
Hersteller: onsemiDescription: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 6.59 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FFSD08120A onsemi
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 22.5A, Supplier Device Package: TO-252AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote FFSD08120A nach Preis ab 6.63 EUR bis 13.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSD08120A | Hersteller : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD |
auf Bestellung 3345 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FFSD08120A | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 22.5A Supplier Device Package: TO-252AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 12193 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSD08120A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 55nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
FFSD08120A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSD08120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 55nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| FFSD08120A | Hersteller : ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 2120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
 |
FFSD08120A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 22.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |