auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 28.18 EUR |
10+ | 26.6 EUR |
25+ | 24.83 EUR |
50+ | 24.52 EUR |
100+ | 22.91 EUR |
250+ | 22.62 EUR |
450+ | 21.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FFSH5065A-F155 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote FFSH5065A-F155 nach Preis ab 25.47 EUR bis 33.44 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FFSH5065A-F155 | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
auf Bestellung 2803 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||
FFSH5065A-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |