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FFSP10120A

FFSP10120A onsemi

ffsp10120a-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
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Technische Details FFSP10120A onsemi

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.

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