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Technische Details FFSP1665A onsemi
Description: ONSEMI - FFSP1665A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 52nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote FFSP1665A nach Preis ab 6.35 EUR bis 12.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FFSP1665A | Hersteller : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
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FFSP1665A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP1665A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 52nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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| FFSP1665A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FFSP1665A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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