FGA25N120ANTDTU

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Hersteller: ON
IGBT 1200V 50A 312W FGA25N120ANTDTU-F109 FGA25N120ANTDTU Trans. FGA25N120ANTDTU TO3P ONS(FAI) TFGA25N120antdtu
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Technische Details FGA25N120ANTDTU

Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P, Power - Max: 312 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, Gate Charge: 200 nC, Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Bulk.

Preis FGA25N120ANTDTU ab 12.06 EUR bis 12.06 EUR

FGA25N120ANTDTU
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
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Hersteller: ONSEMI
Material: FGA25N120ANTDTU THT IGBT transistors
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
IGBT Transistors Copak Discrete
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Hersteller: onsemi / Fairchild
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
Power - Max: 312 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
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FGA25N120ANTDTU
Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 312 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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