FGA25N120ANTD FAIR
Produktcode: 34959
Hersteller: FAIRGehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
auf Bestellung 59 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 150 Stück:
150 Stück - erwartet 01.05.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.7 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGA25N120ANTD | Hersteller : onsemi | onsemi NPTTIGBT TO3PN 25A 1200V |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU-F109 - IGBT, NPT-Trench, 50 A, 2.65 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.65 DC-Kollektorstrom: 50 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-3PN Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 312 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: NPT and Trench Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 312 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : onsemi / Fairchild | IGBT Transistors Copak Discrete |
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Mit diesem Produkt kaufen
GBJ2510 диодный мост Produktcode: 177798 |
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBJ
Urew: 1000 V
I dir: 25 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 350 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBJ
Urew: 1000 V
I dir: 25 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 350 A
auf Bestellung 514 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)GBU2510 (Diodenbrücke) Produktcode: 42585 |
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBU
Urew: 1000V
I dir: 25A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: GBU25005, GBU2501, GBU2502, GBU2504, GBU2506, GBU2508, GBU15005, GBU1501, GBU1502, GBU1504, GBU1506, GBU1508, GBU1510, GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008, GBU1010
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 350 A
№ 7: 8541 10 00 10
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBU
Urew: 1000V
I dir: 25A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: GBU25005, GBU2501, GBU2502, GBU2504, GBU2506, GBU2508, GBU15005, GBU1501, GBU1502, GBU1504, GBU1506, GBU1508, GBU1510, GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008, GBU1010
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 350 A
№ 7: 8541 10 00 10
verfügbar: 513 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.66 EUR |
10+ | 0.6 EUR |
100+ | 0.56 EUR |
Предохранитель 3,6x10mm 10А 250VAC с выводами (KLS5-1005-10000) Produktcode: 115559 |
Hersteller: KLS
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник швидкий, плавкий з аксіальними виводами у склі швидкий 10А 250В 4х11м
Nennstrom, А: 10 А
Größe: 3,6x10 mm; dвив. = 0,8 mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник швидкий, плавкий з аксіальними виводами у склі швидкий 10А 250В 4х11м
Nennstrom, А: 10 А
Größe: 3,6x10 mm; dвив. = 0,8 mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
auf Bestellung 2179 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)KBU3510 (диодный мост) Produktcode: 177800 |
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Urew: 1000 V
I dir: 35 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 400 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Urew: 1000 V
I dir: 35 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 400 A
erwartet:
200 Stück
GBJ2010 (диодный мост) Produktcode: 178358 |
Hersteller: JFDio
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBJ
Urew: 1000 V
I dir: 20 A
Zus.Info: Однофазний
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBJ
Urew: 1000 V
I dir: 20 A
Zus.Info: Однофазний
auf Bestellung 269 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)