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FGA60N60UFDTU onsemi / Fairchild

FGA60N60UFD_D-1808970.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 60A FIELD STOP
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Technische Details FGA60N60UFDTU onsemi / Fairchild

Description: IGBT 600V 120A 298W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns, Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 188 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 298 W.

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FGA60N60UFDTU Hersteller : ON-Semicoductor fga60n60ufd-d.pdf IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
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FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU
Produktcode: 101205 		fga60n60ufd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU Hersteller : ON Semiconductor fga60n60ufd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA60N60UFDTU Hersteller : ON Semiconductor fga60n60ufd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU Hersteller : onsemi fga60n60ufd-d.pdf Description: IGBT 600V 120A 298W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
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FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU Hersteller : ONSEMI fga60n60ufd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 119W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 119W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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