Produkte > ONSEMI > FGA60N65SMD
FGA60N65SMD

FGA60N65SMD ONSEMI


FGA60N65SMD-DTE.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.78 EUR
12+ 6.05 EUR
30+ 6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FGA60N65SMD ONSEMI

Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns, Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 189 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 600 W.

Weitere Produktangebote FGA60N65SMD nach Preis ab 4.19 EUR bis 16.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Hersteller : ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.78 EUR
12+ 6.05 EUR
30+ 6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Hersteller : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+9.21 EUR
19+ 7.93 EUR
100+ 5.74 EUR
500+ 5.3 EUR
1000+ 4.54 EUR
2000+ 4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Hersteller : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+9.99 EUR
18+ 8.61 EUR
100+ 6.23 EUR
500+ 5.75 EUR
1000+ 4.92 EUR
2000+ 4.54 EUR
Mindestbestellmenge: 16
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Hersteller : onsemi / Fairchild FGA60N65SMD_D-2313585.pdf IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT
auf Bestellung 1508 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+13.57 EUR
10+ 12.38 EUR
30+ 10.76 EUR
120+ 9.2 EUR
270+ 9.15 EUR
510+ 9.1 EUR
2520+ 7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Hersteller : ON Semiconductor 3674503025821091fga60n65smd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGA60N65SMD Hersteller : ON-Semicoductor fga60n65smd-d.pdf IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+16.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGA60N65SMD FGA60N65SMD
Produktcode: 60090
fga60n65smd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Hersteller : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Hersteller : onsemi fga60n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar